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その他 - 突入電流防止回路の設計方法
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== 概要 == ここでは、突入電流防止回路の設計方法について記載する。<br> <br> 突入電流防止回路の設計では、突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)の最小抵抗値、耐量サージエネルギー、定格電流を求める必要がある。<br> 設計方法を記載するにあたり、以下のパラメータを使用する。<br> <br> * ACライン電圧V<sub>IN</sub>の実行値V<sub>INRMS</sub> *: 100[V] * ACライン電圧V<sub>IN</sub>の変動率 *: ±10[%] * 出力電力P<sub>OUT</sub> *: 200[W] * 電源効率η *: 90[%] * 力率cosφ *: 0.8 * 入力電解コンデンサC<sub>IN</sub>の容量値 *: 330[uF] * 周囲温度TA *: 10[℃]~35[℃] * 突入電流I<sub>RUSH</sub>の仕様 *: 30[A] [[ファイル:ErectricCircuit InrushCurrentPrevention 1.jpg|フレームなし|中央]] <br><br> == 設計手順 1 : 突入電流の仕様から突入電流防止素子の最小抵抗値を求める == 突入電流防止素子の最小抵抗値RMINは、ACライン電圧V<sub>IN</sub>のピーク値V<sub>PEAK</sub>、突入電流I<sub>RUSH</sub>の仕様によって決まる。<br> 一般的には、20[A]~40[A]が突入電流の仕様となる。<br> <br> まず、ACライン電圧V<sub>IN</sub>のピーク値V<sub>PEAK</sub>を求める。<br> ACライン電圧V<sub>IN</sub>の実行値V<sub>INRMS</sub>が100[V]、その変動は10[%]なので、ACライン電圧V<sub>IN</sub>のピーク値V<sub>PEAK</sub>は以下の値となる。<br> <math>V_{PEAK} = (V_{INRMS} \times 1.1) \times \sqrt{2} = 155.6 \mbox {[V]}</math><br> <br> 突入電流I<sub>RUSH</sub>の仕様が30[A]なので、突入電流防止素子の最小抵抗値R<sub>MIN</sub>は以下の値となる。<br> 突入電流防止素子に温度ヒューズ抵抗やセメント抵抗を用いた場合は、下式で求めた値が最小抵抗値R<sub>MIN</sub>となる。<br> <math>R_{MIN} = \frac{V_{PEAK}}{I_{RUSH}} = 5.19 [\Omega]</math><br> <br> しかし、サーミスタは温度によって抵抗値が変化する。<br> 周囲温度TAの最大値が35[℃]なので、35[℃]の時の最小抵抗値がR<sub>MIN</sub>である必要がある。<br> 例えば、35[℃]の時の抵抗値が25[℃]の抵抗値と比較して0.8倍に低下すると仮定すると、25[℃]の時において必要な最小抵抗値R<sub>MIN</sub>(25[℃])は以下の値となる。<br> <math>R_{MIN} (25 \mbox {[ ℃ ]}) = R_{MIN} \times \frac{1}{0.8} = 6.48 [\Omega]</math><br> <br><br> == 設計手順 2 : 電源投入時のサージエネルギーを求める == 次に電源投入時のサージエネルギーEを求める。<br> <br> 電源投入時において、突入電流防止素子にかかるサージエネルギーEは以下の値となる。<br> 下式より、サージエネルギーEは抵抗値依存症がない。また、このサージエネルギーEに耐える素子を選定する必要がある。<br> <math> \begin{align} E &= \frac{1}{2} C_{IN} V_{PEAK}^2 \\ &= C_{IN}(V_{AC} \times 1.1)^2 \\ &= 3.993 \mbox {[J]} \end{align} </math><br> <br> 突入電流防止素子(サーミスタ・温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗)のデータシートには、下図のようなサージエネルギー耐量のグラフ(耐ラッシュ特性)がある。<br> また、表などに瞬時エネルギー耐量が記載されている。<br> [[ファイル:ErectricCircuit InrushCurrentPrevention 2.jpg|フレームなし|中央]] <br> エネルギー耐量のグラフが記載されている場合には、グラフの値を超えないように選定する。<br> 瞬時エネルギー耐量が記載されている場合には、サージエネルギーEより大きな素子を選定する。<br> <br><br> == 設計手順 3 : 通常使用時に流れる電流の最大値を求める == ACライン電圧V<sub>IN</sub>の実行値V<sub>INRMS</sub>が100[V]、ACライン電圧V<sub>IN</sub>の変動率が±10[%]、出力電力P<sub>OUT</sub>が200[W]、電源効率ηが90[%]、力率cosφが0.8なので、<br> 通常使用時に流れる電流の最大値I<sub>INRMS</sub>は以下の値となる。<br> <math>I_{INRMS} = \frac{P_{OUT}}{\eta \times cos \phi \times 0.9 V_{INRMS}} = 3.08 \mbox {[A]}</math><br> <br> 上式において、V<sub>INRMS</sub>の係数は0.9であるが、ACライン電圧V<sub>IN</sub>の実行値V<sub>INRMS</sub>が最小値となる時、通常使用時に流れる電流が最大値I<sub>INRMS</sub>となる。<br> そのため、ACライン電圧V<sub>IN</sub>の実行値V<sub>INRMS</sub>に対して、変動10[%]を引いた値としている。<br> <br> 安全設計する場合には、上式で求めた値に対してディレーティングを考慮する。<br> ディレーティングを80[%]とすると、突入電流防止回路に必要な定格電流I<sub>RATED</sub>は以下の値となる。<br> <math>I_{RATED} = \frac{I_{INRMS}}{0.8} = 3.86 \mbox {[A]}</math><br> <br> 突入電流防止回路の種類には、以下の2種類がある。<br> * 突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)のみを使用したパッシブICL * 突入防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)に並列にスイッチング素子(リレー・トライアック・サイリスタ)を使用したアクティブICL <br> '''突入電流防止回路の種類'''<br> 突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)のみを使用したパッシブICLの場合、通常動作時は、突入電流防止素子に電流が流れているので、<br> 突入電流防止素子が必要な定格電流I<sub>RATED</sub>を満たす必要がある。<br> <br> 一方、突入防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)に並列にスイッチング素子(リレー・トライアック・サイリスタ)を使用したアクティブICLの場合、<br> 通常動作時は、スイッチング素子に電流が流れているので、スイッチング素子が必要な定格電流I<sub>RATED</sub>を満たす必要がある。<br> <br> <u>※補足</u><br> <u>突入電流防止素子にサーミスタを用いた場合、通常使用時に流れる電流の最大値に対して、余裕のある定格電流のものを選定してはならない。</u><br> <u>余裕のありすぎるものを使用すると、温度上昇が少なくて抵抗値が下がらず、電源への供給不足となる場合があるからである。</u><br> <u>突入電流の仕様がない場合、電源で使用される素子(ブリッジダイオード等)の定格電流を突入電流の仕様とする。</u><br> <br><br> __FORCETOC__ [[カテゴリ:電子回路]]
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