その他 - 突入電流防止回路の設計方法 - 版の履歴

Wiki: /* 設計手順 3 : 通常使用時に流れる電流の最大値を求める */

2020-08-29T01:51:51Z

設計手順 3 : 通常使用時に流れる電流の最大値を求める

← 古い版		2020年8月29日 (土) 10:51時点における版
78行目:		78行目:
	* 突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)のみを使用したパッシブICL		* 突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)のみを使用したパッシブICL
	* 突入防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)に並列にスイッチング素子(リレー・トライアック・サイリスタ)を使用したアクティブICL		* 突入防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)に並列にスイッチング素子(リレー・トライアック・サイリスタ)を使用したアクティブICL
			[[ファイル:ErectricCircuit InrushCurrentPrevention 3.jpg\|フレームなし\|中央]]
	<br>		<br>
	'''突入電流防止回路の種類'''<br>		'''突入電流防止回路の種類'''<br>

2020年8月29日 (土) 01:50にWikiによる

2020-08-29T01:50:13Z

← 古い版		2020年8月29日 (土) 10:50時点における版
2行目:		2行目:
	ここでは、突入電流防止回路の設計方法について記載する。<br>		ここでは、突入電流防止回路の設計方法について記載する。<br>
	<br>		<br>
	突入電流防止回路の設計では、突入電流防止素子(~~温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ~~)の最小抵抗値、耐量サージエネルギー、定格電流を求める必要がある。<br>		突入電流防止回路の設計では、突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)の最小抵抗値、耐量サージエネルギー、定格電流を求める必要がある。<br>
	設計方法を記載するにあたり、以下のパラメータを使用する。<br>		設計方法を記載するにあたり、以下のパラメータを使用する。<br>
	<br>		<br>
	* ~~ACライン電圧VINの実行値VINRMS~~		* ACライン電圧V<sub>IN</sub>の実行値V<sub>INRMS</sub>
	*: 100[V]		*: 100[V]
	* ~~ACライン電圧VINの変動率~~		* ACライン電圧V<sub>IN</sub>の変動率
	*: ±10[%]		*: ±10[%]
	* ~~出力電力POUT~~		* 出力電力P<sub>OUT</sub>
	*: 200[W]		*: 200[W]
	* 電源効率η		* 電源効率η
15行目:		15行目:
	* 力率cosφ		* 力率cosφ
	*: 0.8		*: 0.8
	* ~~入力電解コンデンサCINの容量値~~		* 入力電解コンデンサC<sub>IN</sub>の容量値
	*: 330[uF]		*: 330[uF]
	* 周囲温度TA		* 周囲温度TA
	*: 10[℃]～35[℃]		*: 10[℃]～35[℃]
	* ~~突入電流IRUSHの仕様~~		* 突入電流I<sub>RUSH</sub>の仕様
	*: 30[A]		*: 30[A]
	[[ファイル:ErectricCircuit InrushCurrentPrevention 1.jpg\|フレームなし\|中央]]		[[ファイル:ErectricCircuit InrushCurrentPrevention 1.jpg\|フレームなし\|中央]]
25行目:		25行目:

	== 設計手順 1 : 突入電流の仕様から突入電流防止素子の最小抵抗値を求める ==		== 設計手順 1 : 突入電流の仕様から突入電流防止素子の最小抵抗値を求める ==
	~~突入電流防止素子の最小抵抗値RMINは、ACライン電圧VINのピーク値VPEAK、突入電流IRUSHの仕様によって決まる。~~<br>		突入電流防止素子の最小抵抗値RMINは、ACライン電圧V<sub>IN</sub>のピーク値V<sub>PEAK</sub>、突入電流I<sub>RUSH</sub>の仕様によって決まる。<br>
	一般的には、20[A]～40[A]が突入電流の仕様となる。<br>		一般的には、20[A]～40[A]が突入電流の仕様となる。<br>
	<br>		<br>
	~~まず、ACライン電圧vINのピーク値VPEAKを求める。~~<br>		まず、ACライン電圧V<sub>IN</sub>のピーク値V<sub>PEAK</sub>を求める。<br>
	~~ACライン電圧VINの実行値VINRMSが100~~[V]、その変動は10[%]~~なので、ACライン電圧VINのピーク値VPEAKは以下の値となる。~~<br>		ACライン電圧V<sub>IN</sub>の実行値V<sub>INRMS</sub>が100[V]、その変動は10[%]なので、ACライン電圧V<sub>IN</sub>のピーク値V<sub>PEAK</sub>は以下の値となる。<br>
	<math>V_{PEAK} = (V_{INRMS} \times 1.1) \times \sqrt{2} = 155.6 \mbox {[V]}</math><br>		<math>V_{PEAK} = (V_{INRMS} \times 1.1) \times \sqrt{2} = 155.6 \mbox {[V]}</math><br>
	<br>		<br>
37行目:		37行目:
	<br>		<br>
	しかし、サーミスタは温度によって抵抗値が変化する。<br>		しかし、サーミスタは温度によって抵抗値が変化する。<br>
	周囲温度TAの最大値が35[℃]なので、35[℃]~~の時の最小抵抗値がRMINである必要がある。~~<br>		周囲温度TAの最大値が35[℃]なので、35[℃]の時の最小抵抗値がR<sub>MIN</sub>である必要がある。<br>
	例えば、35[℃]の時の抵抗値が25[℃]の抵抗値と比較して0.8倍に低下すると仮定すると、25[℃]~~の時において必要な最小抵抗値RMIN~~(25[℃])は以下の値となる。<br>		例えば、35[℃]の時の抵抗値が25[℃]の抵抗値と比較して0.8倍に低下すると仮定すると、25[℃]の時において必要な最小抵抗値R<sub>MIN</sub>(25[℃])は以下の値となる。<br>
	<math>R_{MIN} (25 \mbox {[ ℃ ]}) = R_{MIN} \times \frac{1}{0.8} = 6.48 [\Omega]</math><br>		<math>R_{MIN} (25 \mbox {[ ℃ ]}) = R_{MIN} \times \frac{1}{0.8} = 6.48 [\Omega]</math><br>
	<br><br>		<br><br>
73行目:		73行目:
	安全設計する場合には、上式で求めた値に対してディレーティングを考慮する。<br>		安全設計する場合には、上式で求めた値に対してディレーティングを考慮する。<br>
	ディレーティングを80[%]とすると、突入電流防止回路に必要な定格電流I<sub>RATED</sub>は以下の値となる。<br>		ディレーティングを80[%]とすると、突入電流防止回路に必要な定格電流I<sub>RATED</sub>は以下の値となる。<br>
	~~IRATED~~=~~IINRMS0~~.8=3.86[A]<br>		<math>I_{RATED} = \frac{I_{INRMS}}{0.8} = 3.86 \mbox {[A]}</math><br>
	<br>		<br>
	突入電流防止回路の種類には、以下の2種類がある。<br>		突入電流防止回路の種類には、以下の2種類がある。<br>
	* 突入電流防止素子(~~温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ~~)のみを使用したパッシブICL		* 突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)のみを使用したパッシブICL
	* 突入防止素子(~~温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ~~)に並列にスイッチング素子(~~リレー/トライアック/サイリスタ~~)を使用したアクティブICL		* 突入防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)に並列にスイッチング素子(リレー・トライアック・サイリスタ)を使用したアクティブICL
	<br>		<br>
	突入電流防止回路の種類<br>		'''突入電流防止回路の種類'''<br>
	突入電流防止素子(~~温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ~~)のみを使用したパッシブICLの場合、通常動作時は、突入電流防止素子に電流が流れているので、<br>		突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)のみを使用したパッシブICLの場合、通常動作時は、突入電流防止素子に電流が流れているので、<br>
	~~突入電流防止素子が必要な定格電流IRATEDを満たす必要がある。~~<br>		突入電流防止素子が必要な定格電流I<sub>RATED</sub>を満たす必要がある。<br>
	<br>		<br>
	一方、突入防止素子(~~温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ~~)に並列にスイッチング素子(~~リレー/トライアック/サイリスタ~~)を使用したアクティブICLの場合、<br>		一方、突入防止素子(温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗・サーミスタ)に並列にスイッチング素子(リレー・トライアック・サイリスタ)を使用したアクティブICLの場合、<br>
	通常動作時は、スイッチング素子に電流が流れているので、スイッチング素子が必要な定格電流I<sub>RATED</sub>を満たす必要がある。<br>		通常動作時は、スイッチング素子に電流が流れているので、スイッチング素子が必要な定格電流I<sub>RATED</sub>を満たす必要がある。<br>
	<br>		<br>

Wiki: /* 設計手順 3 : 通常使用時に流れる電流の最大値を求める */

2020-08-28T23:41:35Z

設計手順 3 : 通常使用時に流れる電流の最大値を求める

← 古い版		2020年8月29日 (土) 08:41時点における版
64行目:		64行目:

	== 設計手順 3 : 通常使用時に流れる電流の最大値を求める ==		== 設計手順 3 : 通常使用時に流れる電流の最大値を求める ==
	~~ACライン電圧vINの実行値VINRMSが100V、ACライン電圧vINの変動率が±10~~%~~、出力電力POUTが200W、電源効率ηが90~~%、力率cosφが0.~~8なので、通常使用時に流れる電流の最大値IINRMSは以下の値となります。~~		ACライン電圧V<sub>IN</sub>の実行値V<sub>INRMS</sub>が100[V]、ACライン電圧V<sub>IN</sub>の変動率が±10[%]、出力電力P<sub>OUT</sub>が200[W]、電源効率ηが90[%]、力率cosφが0.8なので、<br>
	~~IINRMS~~=~~POUTη×cosφ×0~~.~~9VINRMS~~=3.08[A]		通常使用時に流れる電流の最大値I<sub>INRMS</sub>は以下の値となる。<br>
			<math>I_{INRMS} = \frac{P_{OUT}}{\eta \times cos \phi \times 0.9 V_{INRMS}} = 3.08 \mbox {[A]}</math><br>
	~~上式において、VINRMSについている0~~.9ですが、ACライン電圧vINの実行値VINRMSが最小値となるときに、通常使用時に流れる電流が最大値IINRMSとなります。そのため、ACライン電圧vINの実行値VINRMSに対して変動10%~~を引いた値としています。~~		<br>
			上式において、V<sub>INRMS</sub>の係数は0.9であるが、ACライン電圧V<sub>IN</sub>の実行値V<sub>INRMS</sub>が最小値となる時、通常使用時に流れる電流が最大値I<sub>INRMS</sub>となる。<br>
	~~安全設計する場合には、上式で求めた値に対してディレーティングを考慮します。ディレーティングを80~~%~~とすると、突入電流防止回路に必要な定格電流IRATEDは以下の値となります。~~		そのため、ACライン電圧V<sub>IN</sub>の実行値V<sub>INRMS</sub>に対して、変動10[%]を引いた値としている。<br>
	IRATED=IINRMS0.8=3.86[A]		<br>
	~~突入電流防止回路の種類には「突入電流防止素子~~(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)~~のみを使用したパッシブICL」と「突入防止素子~~(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)に並列にスイッチング素子(リレー/トライアック/サイリスタ)~~を使用したアクティブICL」があります。~~		安全設計する場合には、上式で求めた値に対してディレーティングを考慮する。<br>
	突入電流防止回路の種類		ディレーティングを80[%]とすると、突入電流防止回路に必要な定格電流I<sub>RATED</sub>は以下の値となる。<br>
	~~「突入電流防止素子~~(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)のみを使用したパッシブICL」の場合、通常動作時は、突入電流防止素子に電流がながれていますので、突入電流防止素子が必要な定格電流IRATEDを満たす必要があります。		IRATED=IINRMS0.8=3.86[A]<br>
			<br>
	~~一方、「突入防止素子~~(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)に並列にスイッチング素子(リレー/トライアック/サイリスタ)を使用したアクティブICL」の場合、通常動作時は、スイッチング素子に電流がながれていますので、スイッチング素子が必要な定格電流IRATEDを満たす必要があります。		突入電流防止回路の種類には、以下の2種類がある。<br>
			* 突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)のみを使用したパッシブICL
	補足		* 突入防止素子(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)に並列にスイッチング素子(リレー/トライアック/サイリスタ)を使用したアクティブICL
	突入電流防止素子にサーミスタを用いた場合、通常使用時に流れる電流の最大値に対して、余裕のある定格電流のものを選定してはいけません。余裕のありすぎるものを使用すると、温度上昇が少なくて抵抗値が下がらず、電源への供給不足となる場合があります。		<br>
	突入電流の仕様がない場合、電源で使用される素子(~~ブリッジダイオードなど~~)~~の定格電流を突入電流の仕様とします。~~		突入電流防止回路の種類<br>
			突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)のみを使用したパッシブICLの場合、通常動作時は、突入電流防止素子に電流が流れているので、<br>
			突入電流防止素子が必要な定格電流IRATEDを満たす必要がある。<br>
			<br>
			一方、突入防止素子(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)に並列にスイッチング素子(リレー/トライアック/サイリスタ)を使用したアクティブICLの場合、<br>
			通常動作時は、スイッチング素子に電流が流れているので、スイッチング素子が必要な定格電流I<sub>RATED</sub>を満たす必要がある。<br>
			<br>
			<u>※補足</u><br>
			<u>突入電流防止素子にサーミスタを用いた場合、通常使用時に流れる電流の最大値に対して、余裕のある定格電流のものを選定してはならない。</u><br>
			<u>余裕のありすぎるものを使用すると、温度上昇が少なくて抵抗値が下がらず、電源への供給不足となる場合があるからである。</u><br>
			<u>突入電流の仕様がない場合、電源で使用される素子(ブリッジダイオード等)の定格電流を突入電流の仕様とする。</u><br>
	<br><br>		<br><br>

	__FORCETOC__		__FORCETOC__
	[[カテゴリ:電子回路]]		[[カテゴリ:電子回路]]

Wiki: /* 概要 */

2020-08-28T20:20:28Z

概要

← 古い版		2020年8月29日 (土) 05:20時点における版
21行目:		21行目:
	* 突入電流IRUSHの仕様		* 突入電流IRUSHの仕様
	*: 30[A]		*: 30[A]
			[[ファイル:ErectricCircuit InrushCurrentPrevention 1.jpg\|フレームなし\|中央]]
	<br><br>		<br><br>

Wiki: /* 設計手順 2 : 電源投入時のサージエネルギーを求める */

2020-08-28T20:18:46Z

設計手順 2 : 電源投入時のサージエネルギーを求める

← 古い版		2020年8月29日 (土) 05:18時点における版
42行目:		42行目:

	== 設計手順 2 : 電源投入時のサージエネルギーを求める ==		== 設計手順 2 : 電源投入時のサージエネルギーを求める ==
	次に電源投入時のサージエネルギーEを求める。		次に電源投入時のサージエネルギーEを求める。<br>
			<br>
	電源投入時において、突入電流防止素子にかかるサージエネルギーEは以下の値となる。		電源投入時において、突入電流防止素子にかかるサージエネルギーEは以下の値となる。<br>
	~~下式より、サージエネルギーEは抵抗値依存症がありません。~~		下式より、サージエネルギーEは抵抗値依存症がない。また、このサージエネルギーEに耐える素子を選定する必要がある。<br>
	E==~~=12CINVPEAK2CIN~~(~~VAC×1~~.1)23.993[J]		<math>
	~~このサージエネルギーEに耐える素子を選定する必要があります。~~		\begin{align}
			E &= \frac{1}{2} C_{IN} V_{PEAK}^2 \\
	突入電流防止素子(~~サーミスタ/温度ヒューズ抵抗/セメント抵抗~~)~~のデータシートには以下のようなサージエネルギー耐量のグラフ~~(耐ラッシュ特性)~~があります。または、表などに瞬時エネルギー耐量が記載されています。~~		&= C_{IN}(V_{AC} \times 1.1)^2 \\
	~~突入電流防止抵抗(サーミスタ_温度ヒューズ抵抗_セメント抵抗)のデータシート~~		&= 3.993 \mbox {[J]}
	エネルギー耐量のグラフが記載されている場合には、グラフの値を超えないように選定します。瞬時エネルギー耐量が記載されている場合にはサージエネルギーEより大きな素子を選定します。		\end{align}
			</math><br>
			<br>
			突入電流防止素子(サーミスタ・温度ヒューズ抵抗・セメント抵抗)のデータシートには、下図のようなサージエネルギー耐量のグラフ(耐ラッシュ特性)がある。<br>
			また、表などに瞬時エネルギー耐量が記載されている。<br>
			[[ファイル:ErectricCircuit InrushCurrentPrevention 2.jpg\|フレームなし\|中央]]
			<br>
			エネルギー耐量のグラフが記載されている場合には、グラフの値を超えないように選定する。<br>
			瞬時エネルギー耐量が記載されている場合には、サージエネルギーEより大きな素子を選定する。<br>
	<br><br>		<br><br>

Wiki: ページの作成:「== 概要 == ここでは、突入電流防止回路の設計方法について記載する。

突入電流防止回路の設計では、突入電流防止素子…」

2020-08-28T19:21:43Z

ページの作成:「== 概要 == ここでは、突入電流防止回路の設計方法について記載する。 突入電流防止回路の設計では、突入電流防止素子…」

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== 概要 ==
ここでは、突入電流防止回路の設計方法について記載する。 
 
突入電流防止回路の設計では、突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)の最小抵抗値、耐量サージエネルギー、定格電流を求める必要がある。 
設計方法を記載するにあたり、以下のパラメータを使用する。 
 
* ACライン電圧VINの実行値VINRMS
*: 100[V]
* ACライン電圧VINの変動率
*: ±10[%]
* 出力電力POUT
*: 200[W]
* 電源効率η
*: 90[%]
* 力率cosφ
*: 0.8
* 入力電解コンデンサCINの容量値
*: 330[uF]
* 周囲温度TA
*: 10[℃]～35[℃]
* 突入電流IRUSHの仕様
*: 30[A]
 

== 設計手順 1 : 突入電流の仕様から突入電流防止素子の最小抵抗値を求める ==
突入電流防止素子の最小抵抗値RMINは、ACライン電圧VINのピーク値VPEAK、突入電流IRUSHの仕様によって決まる。 
一般的には、20[A]～40[A]が突入電流の仕様となる。 
 
まず、ACライン電圧vINのピーク値VPEAKを求める。 
ACライン電圧VINの実行値VINRMSが100[V]、その変動は10[%]なので、ACライン電圧VINのピーク値VPEAKは以下の値となる。 
<math>V_{PEAK} = (V_{INRMS} \times 1.1) \times \sqrt{2} = 155.6 \mbox {[V]}</math> 
 
突入電流IRUSHの仕様が30[A]なので、突入電流防止素子の最小抵抗値RMINは以下の値となる。 
突入電流防止素子に温度ヒューズ抵抗やセメント抵抗を用いた場合は、下式で求めた値が最小抵抗値RMINとなる。 
<math>R_{MIN} = \frac{V_{PEAK}}{I_{RUSH}} = 5.19 [\Omega]</math> 
 
しかし、サーミスタは温度によって抵抗値が変化する。 
周囲温度TAの最大値が35[℃]なので、35[℃]の時の最小抵抗値がRMINである必要がある。 
例えば、35[℃]の時の抵抗値が25[℃]の抵抗値と比較して0.8倍に低下すると仮定すると、25[℃]の時において必要な最小抵抗値RMIN(25[℃])は以下の値となる。 
<math>R_{MIN} (25 \mbox {[ ℃ ]}) = R_{MIN} \times \frac{1}{0.8} = 6.48 [\Omega]</math> 
 

== 設計手順 2 : 電源投入時のサージエネルギーを求める ==
次に電源投入時のサージエネルギーEを求める。

電源投入時において、突入電流防止素子にかかるサージエネルギーEは以下の値となる。
下式より、サージエネルギーEは抵抗値依存症がありません。
E===12CINVPEAK2CIN(VAC×1.1)23.993[J]
このサージエネルギーEに耐える素子を選定する必要があります。

突入電流防止素子(サーミスタ/温度ヒューズ抵抗/セメント抵抗)のデータシートには以下のようなサージエネルギー耐量のグラフ(耐ラッシュ特性)があります。または、表などに瞬時エネルギー耐量が記載されています。
突入電流防止抵抗(サーミスタ_温度ヒューズ抵抗_セメント抵抗)のデータシート
エネルギー耐量のグラフが記載されている場合には、グラフの値を超えないように選定します。瞬時エネルギー耐量が記載されている場合にはサージエネルギーEより大きな素子を選定します。
 

== 設計手順 3 : 通常使用時に流れる電流の最大値を求める ==
ACライン電圧vINの実行値VINRMSが100V、ACライン電圧vINの変動率が±10%、出力電力POUTが200W、電源効率ηが90%、力率cosφが0.8なので、通常使用時に流れる電流の最大値IINRMSは以下の値となります。
IINRMS=POUTη×cosφ×0.9VINRMS=3.08[A]

上式において、VINRMSについている0.9ですが、ACライン電圧vINの実行値VINRMSが最小値となるときに、通常使用時に流れる電流が最大値IINRMSとなります。そのため、ACライン電圧vINの実行値VINRMSに対して変動10%を引いた値としています。

安全設計する場合には、上式で求めた値に対してディレーティングを考慮します。ディレーティングを80%とすると、突入電流防止回路に必要な定格電流IRATEDは以下の値となります。
IRATED=IINRMS0.8=3.86[A]
突入電流防止回路の種類には「突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)のみを使用したパッシブICL」と「突入防止素子(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)に並列にスイッチング素子(リレー/トライアック/サイリスタ)を使用したアクティブICL」があります。
突入電流防止回路の種類
「突入電流防止素子(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)のみを使用したパッシブICL」の場合、通常動作時は、突入電流防止素子に電流がながれていますので、突入電流防止素子が必要な定格電流IRATEDを満たす必要があります。

一方、「突入防止素子(温度ヒューズ抵抗orセメント抵抗orサーミスタ)に並列にスイッチング素子(リレー/トライアック/サイリスタ)を使用したアクティブICL」の場合、通常動作時は、スイッチング素子に電流がながれていますので、スイッチング素子が必要な定格電流IRATEDを満たす必要があります。

補足
突入電流防止素子にサーミスタを用いた場合、通常使用時に流れる電流の最大値に対して、余裕のある定格電流のものを選定してはいけません。余裕のありすぎるものを使用すると、温度上昇が少なくて抵抗値が下がらず、電源への供給不足となる場合があります。
突入電流の仕様がない場合、電源で使用される素子(ブリッジダイオードなど)の定格電流を突入電流の仕様とします。
 

__FORCETOC__
[[カテゴリ:電子回路]]

その他 - 突入電流防止回路の設計方法 - 版の履歴

Wiki: /* 設計手順 3 : 通常使用時に流れる電流の最大値を求める */

2020年8月29日 (土) 01:50にWikiによる

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突入電流防止回路の設計では、突入電流防止素子…」